La Kioxia EG7 llega en mayo con una propuesta clara: reducir costes sin salir del terreno PCIe 4.0. La nueva serie de SSD del fabricante japonés apuesta por memoria QLC y por un diseño sin caché DRAM. El objetivo es cubrir el almacenamiento interno de PCs en un mercado de memorias muy tensionado.

La fuente sitúa este lanzamiento como respuesta a la subida generalizada de precios en memorias, SSD y equipos que las montan. Las unidades estarán disponibles en 512 GB, 1 TB y 2 TB, y además en formatos M.2 2230, 2242 y 2280. Eso las deja preparadas para equipos compactos y para torres más convencionales, con una distribución pensada también para fabricantes OEM.

QLC, HMB y un perfil pensado para contener costes

Las Kioxia EG7 usan BiCS FLASH con celdas de cuatro capas, es decir, memoria NAND QLC. Kioxia sostiene que, pese a ello, el rendimiento es comparable al de unidades basadas en TLC. La serie, eso sí, no integra DRAM propia, así que la arquitectura depende de Host Memory Buffer para tirar de una parte de la memoria principal del sistema.

Ese enfoque no es nuevo, pero sí marca el camino técnico de la gama. HMB permite reservar RAM del equipo a través del bus PCIe para tareas de caché, y Kioxia lo acompaña con mejoras en el rendimiento de E/S. El equilibrio es claro: menos coste de componentes y un consumo de energía más contenido, con el rendimiento como variable que la compañía intenta mantener en un nivel competitivo.

La referencia a TLC no es casual. En el mercado de SSD, esa comparación sirve como vara de medir para unidades que buscan combinar capacidad, precio y prestaciones. Aquí el matiz está en que la EG7 parte de una base QLC y prescinde de DRAM, dos decisiones que abaratan la unidad pero obligan a afinar mucho el comportamiento bajo carga sostenida.

Hasta 7.000 MB/s sobre PCIe 4.0 y con NVMe 2.0d

En cifras, Kioxia habla de hasta 7.000 MB/s en lectura secuencial y 6.200 MB/s en escritura secuencial. El rendimiento aleatorio llega a 1000 KIOPS en lectura y escritura. Son datos que sitúan a la serie en la parte alta del catálogo PCIe 4.0, al menos sobre el papel, y con un enfoque que busca cubrir tanto arranques como cargas de trabajo más mixtas.

La compatibilidad también está bien cerrada. Las EG7 trabajan con interfaz PCIe 4.0, protocolo NVMe 2.0d y cifrado automático permanente mediante TCG Opal 2.0. No hablamos de una gama orientada a exprimir cada línea de rendimiento de una plataforma PCIe 5.0, sino de una familia que intenta encajar en equipos actuales sin disparar costes. En el mismo mercado ya hemos visto propuestas más rápidas, como el PNY CS2150 PCIe 5.0, pero la EG7 juega otra partida.

Ese posicionamiento encaja con la presión que vive la memoria NAND. Como ya vimos en el mercado de la memoria NAND, la tensión sobre la producción y la demanda sigue marcando el paso. En ese escenario, una SSD como la Kioxia EG7 no busca deslumbrar por cifras máximas, sino ofrecer una base técnica amplia, capacidades de hasta 2 TB y un formato compatible con muchas configuraciones de PC. El movimiento dice bastante del momento del mercado: menos margen para la extravagancia y más peso para las soluciones que recortan costes sin romper la compatibilidad.

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FAQ

¿Cuándo llega la Kioxia EG7?

La serie está prevista para mayo. La fuente no concreta el día exacto de disponibilidad. Sí deja claro que llega en varias capacidades y formatos desde el primer despliegue.

¿Qué capacidades tendrá la Kioxia EG7?

La gama saldrá en 512 GB, 1 TB y 2 TB. Son tres opciones que cubren desde equipos básicos hasta configuraciones con más margen de almacenamiento interno. Todas parten de la misma familia EG7.

¿Qué rendimiento anuncia Kioxia para esta SSD?

Kioxia habla de hasta 7.000 MB/s en lectura secuencial y 6.200 MB/s en escritura secuencial. En aleatorio, la cifra llega a 1000 KIOPS. Son datos vinculados a la plataforma PCIe 4.0.

¿La Kioxia EG7 lleva DRAM dedicada?

No, la serie no incluye caché DRAM. Para compensarlo usa Host Memory Buffer, que tira de una parte de la DRAM del sistema para tareas de caché. Kioxia también cita mejoras en el rendimiento de E/S.

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