SK hynix lanza la primera pila de memoria HBM3E de 16 capas en el mundo, con una impresionante capacidad de 48 GB. Este nuevo módulo de memoria redefine la arquitectura de alta ancho de banda (HBM) y está diseñado para satisfacer las crecientes demandas de las tecnologías impulsadas por inteligencia artificial (IA). Durante el SK AI Summit 2024 en Seúl, el CEO de la compañía, Kwak Noh-Jung, compartió la visión de SK hynix de liderar el mercado con soluciones avanzadas de DRAM y NAND, transformando el panorama de la memoria para soportar la evolución de la IA.
Mejora en el entrenamiento de modelos de IA y procesamiento de datos
La innovadora arquitectura 16-Hi HBM3E desarrollada por SK hynix logra una mejora del 18 % en la velocidad de entrenamiento de modelos de IA. También un aumento del 32 % en el procesamiento de datos en comparación con las estructuras tradicionales de 12 capas. SK hynix lanza la primera pila HBM3E y este avance se alinea con la iniciativa de «Memoria Creativa» de la compañía, enfocada en ofrecer soluciones de memoria de próxima generación para tareas complejas de IA. El compromiso de SK hynix de crear productos de memoria que van «Beyond Best» (más allá de lo mejor) permite el desarrollo de soluciones altamente competitivas en el campo de la IA.
Tecnología MR-MUF para la fabricación en masa
Para llevar esta revolucionaria HBM3E de 16 capas al mercado, SK hynix empleará su tecnología avanzada MR-MUF, anteriormente utilizada en módulos de 12 capas. Ahora que SK hynix lanza la primera pila HBM3E cambiaran muchas cosas. Este enfoque permite una producción eficiente y a gran escala, asegurando que los nuevos módulos de memoria puedan satisfacer la creciente demanda de aceleradores de IA. La compañía anticipa que este avance reforzará su posición como líder en el sector de memoria para IA.
Diversificación de soluciones de memoria más allá de HBM3E
Además de HBM3E, SK hynix está desarrollando módulos LPCAMM2 dirigidos a PCs y centros de datos. Y también memorias LPDDR5 y LPDDR6 energéticamente eficientes basadas en tecnología de proceso 1c. Adicionalmente, SK hynix está explorando la memoria HBM4 con integración lógica en la base, gracias a una nueva colaboración con un importante fabricante de semiconductores lógicos. SK hynix lanza la primera pila HBM3E y continúa avanzando en otras áreas. Esta integración permitirá soluciones altamente personalizables, adaptadas a las necesidades específicas de los clientes en términos de volumen, ancho de banda y funcionalidad.
Rompiendo la «barrera de la memoria» con PIM y CXL
A medida que aumentan las demandas de IA, SK hynix avanza en tecnologías de memoria como Processing in Memory (PIM) y almacenamiento computacional. Estas son capaces de gestionar enormes volúmenes de datos y reducir la latencia. La compañía también se centra en soluciones basadas en redes CXL para habilitar arreglos de memoria de alta capacidad. Esto aborda los requisitos de memoria para los sistemas de IA de próxima generación.
Con el lanzamiento de la pila HBM3E de 16 capas, SK hynix ha vuelto a romper los límites de la tecnología de memoria. Este avance es un ejemplo claro de cómo SK hynix lanza la primera pila HBM3E y mejora el rendimiento de la IA. Esta innovación no solo mejora el rendimiento de la IA, sino que también abre el camino hacia la computación de próxima generación. A medida que SK hynix continúa desarrollando soluciones pioneras en la industria de la memoria, este avance marca un paso significativo para superar los desafíos del procesamiento de datos en la era de la IA.