El nuevo Exynos 2600 está empezando a dejar una huella difícil de ignorar, con un comportamiento en benchmarks que contrasta de forma directa con el del Snapdragon 8 Elite Gen 5.
Una consistencia poco habitual en las pruebas gráficas
Los datos recopilados de Geekbench 6 OpenCL, compartidos por @BairroGrande, muestran un patrón muy poco común en chips de este nivel. El Exynos 2600, junto a su GPU Xclipse 960, presenta una variación de apenas un 3,4 % entre la puntuación más baja y la más alta dentro del conjunto de pruebas analizadas.
La mayoría de los resultados se concentran en el rango de más de 25.000 puntos, mientras que las puntuaciones por debajo de esa cifra representan una fracción casi testimonial. Frente a ello, el Snapdragon 8 Elite Gen 5 exhibe una dispersión mayor, con saltos más marcados entre pruebas consecutivas.
2 nm GAA, RDNA 4 y una gestión térmica distinta
Parte de este comportamiento se explica por la base tecnológica del chip. El Exynos 2600 es el primer SoC de Samsung fabricado en 2 nm con transistores Gate-All-Around (GAA), una arquitectura tridimensional en la que la compuerta rodea completamente el canal, formado por nanosheets apiladas verticalmente. El resultado es un control eléctrico más preciso y un funcionamiento estable a voltajes más contenidos.
A esto se suma la Xclipse 960, la primera GPU móvil que emplea una versión personalizada de la arquitectura RDNA 4 de AMD. En pruebas recientes, incluso un Galaxy S25+ con Exynos 2600 ha superado en OpenCL a un Galaxy Book4 Edge con Snapdragon X Elite, un dato que rompe con varias suposiciones habituales en este segmento.
Samsung también ha introducido mejoras físicas en el encapsulado. El uso de Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) junto al Heat Pass Block (HPB), un disipador de cobre en contacto directo con el chip, reduce la resistencia térmica en torno a un 16 %, ayudando a mantener el rendimiento estable durante cargas prolongadas.
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FAQ – Samsung Exynos 2600
Su consistencia en benchmarks y su baja variación entre pruebas consecutivas.
Xclipse 960, basada en una versión personalizada de AMD RDNA 4.
Un nodo de 2 nm GAA (Gate-All-Around) desarrollado por Samsung.
Sí, gracias al uso de FOWLP y al Heat Pass Block, que mejora la disipación.
Entre otros, en un Galaxy S25+ prototipo, con resultados destacados frente a chips de Qualcomm.
