Snapdragon 8 Gen 2 podría usar 2nm de Samsung

Qualcomm estaría considerando un movimiento estratégico para su nuevo procesador Snapdragon 8 Elite Gen 2 para Galaxy: utilizar el innovador proceso de fabricación 2nm GAA de Samsung Foundry. Según un informe reciente, ambas compañías están en conversaciones para concretar la producción en la planta Hwaseong S3 de Corea del Sur.

Aunque inicialmente se pensaba que TSMC tendría la exclusividad en esta generación, Samsung ha mejorado significativamente sus rendimientos, pasando de un 30% en pruebas con el Exynos 2600 a 7.000 obleas mensuales. Esto pone al gigante surcoreano de nuevo en competencia directa en el segmento de chips premium.

Detalles técnicos, plazos y desafíos de producción

El Snapdragon 8 Elite Gen 2 para Galaxy apunta a ser un chip tope de gama que impulsará smartphones insignia a partir de 2026. Las características esperadas son:

Proceso de fabricación: 2nm GAA (Gate-All-Around)
Planta prevista: Samsung Hwaseong S3
Inicio de producción: Primera mitad de 2026 (tras diseño final en Q2 2025)
Capacidad actual de Samsung: 7.000 obleas mensuales, con Hwaseong cubriendo el 15%

En comparación con el proceso de 3nm anterior, el nuevo nodo de 2nm promete mejoras clave en eficiencia energética y densidad de transistores, esenciales para IA, gráficos y conectividad 5G avanzada.

Sin embargo, aún existen desafíos. Qualcomm ya intentó anteriormente una estrategia de doble proveedor entre TSMC y Samsung, sin éxito debido a los bajos rendimientos de Samsung. Esta vez, el objetivo es lograr una producción estable y competitiva frente al liderazgo tecnológico de TSMC.

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